Indiviueel Atoom Geheugen gemaakt

Robin (Anthraxx)
Vandaag werd bekend gemaakt door de Universiteit van Wisconsin Madison dat zij een geheugen ontwikkeld hebben met indivuele silicium atomen. Elk atoom stelt hierbij een logische 1 of een logische 0 voor. Dit is de eerste stap naar een nieuwe geheugen techniek die als voordeel heeft dat het meer capaciteit kan bevatten. Zo zou deze techniek van een zelfde inhoud, volgens 1 van de onderzoekers, een miljoen keer groter zijn dan de opslag capaciteit van een CD-ROM



Het nieuwe geheugen is gebouwd op een silicium ondergrond, welke automatisch rijen vormt waarin silicium atomen achter elkaar geplaatst kan worden. Je kan het zien als een rij tennisballen in een goot. Door een silicium atoom uit de rij te halen ontstaat er een gat, wat de computer ziet als een logische 0. Het grote voordeel van dit type geheugen is dat het geschreven, gelezen, geformatteerd en geinitialiseerd kan worden op kamertemparatuur. Een nadeel van dit geheugen is, is dat het slomer zal zijn dan gewoon geheugen. Dit komt doordat het geheugen een grotere dichtheid heeft waarbij er een zwakker signaal gaat lopen (denk hierbij aan een grotere weerstand). "Hoe kleiner, hoe slomer", aldus de onderzoekers.

Wanneer de techniek volledig benut kan worden is niet bekend.